北京加湿器

北京加湿器
集成电路技术的迅速发展、生产规模的扩大和集成化程度的提高使静电放电（ESD）的危害严重影响到电子产品的质量和性能。在电子工业领域，由于ESD的影响，美国每年造成的损失约100亿美元，英国每年损失为35亿英镑，日本不合格的电子器件中有70%是由静电引起。在我国，因静电造成的损失也很严重。 
    
随着集成度不断提高，集成电路的内绝缘层愈来愈薄，其互连线与间距愈来愈小，相互击穿电压愈来愈低。MOS电路是集成电路制造的主导技术。通常MOS电路栅级绝缘层二氧化硅膜的厚度为0.07-0.15 m，典型值是0.1 m。即使二氧化硅膜材料的击穿强度高达16Kv/m，但厚度只有0.1 m之薄，故可算出栅氧膜的理论击穿电压为U=16kV/m 0.1 10-6m=0.1kV，即100V 。
   
MOS电路对静电放电的损伤较敏感。而在微电子器件及电子产品的生产、运输和存储过程中，所产生的静电电压远远**过其阈值，人体或器具上所带静电如不加以适度防护，很容易**过表中所列的低端电压。
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MOS器件栅氧化截面宽度的减小还将导致承受功率的降低。而且由于尺寸减小，使相应的电容量减小，根据公式U=Q/C，在同样的静电荷水平情况下，如电容量C减小一倍，则静电电压U相应增大一倍。于是击穿的危险性更大，较易使器件和产品形成软或硬损伤，造成失效，甚至严重影响产品质量。
结束语 
    
近30年来，随着电子技术的飞速发展，特别是以构件物理尺寸日趋缩小和集成密度日趋增大为特征的集成电路、微组装技术的发展，以及许多新的高分子材料的广泛使用，静电防护问题为更多的行业所关注，而ESD的防护领域也日渐广泛，人们对静电防护的认识也必将随着现代科学技术的不断进步而日益深化。